功能描述：MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220

制造商：stmicroelectronics

系列：MDmesh? K5

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：2.63nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：102pF @ 100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：45W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.25 欧姆 @ 1A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220

封装/外壳：TO-220-3

标准包装：1,000

STP3N100

STP3N100FI

STP3N150

STP3N60FI

STP3N62K3

STP3N80FT

STP3N80K5

STP3N85

STP3N90FI

STP3NA100